买卖IC网 >> 产品目录43554 >> STW21N65M5 MOSFET N-CH 650V 17A TO-247 datasheet 分离式半导体产品
型号:

STW21N65M5

库存数量:530
制造商:STMicroelectronics
描述:MOSFET N-CH 650V 17A TO-247
RoHS:无铅 / 符合
详细参数
参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
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其它有关文件 STW21N65M5 View All Specifications
产品培训模块 5th Generation High Voltage Mosfet Technology
标准包装 30
系列 MDmesh™
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 17A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 190 毫欧 @ 8.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 50nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1950pF @ 100V
功率 - 最大 125W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商设备封装 TO-247-3
包装 管件
其它名称 497-10654-5
STW21N65M5-ND
相关资料
供应商
公司名
电话
深圳市晶美隆科技有限公司 0755-82519391 李林
深圳市中平科技有限公司 0755-83946385 赖先生
深圳市英科美电子有限公司 0755-23903058 张先生
深圳市华芯源电子有限公司 15019275130 张小姐
深圳市琦凌凯科技有限公司 13316482149 彭先生
深圳市思诺康科技有限公司 0755-83286481 张小姐/Vivianvi
深圳市鹏威尔科技有限公司 13138879988 胡庆伟
深圳市中平科技有限公司 0755-83946385 赖先生
朱培 18356208742 朱培
买卖IC网 123456 测试
  • STW21N65M5 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 8.112 8.112
    10 7.2456 72.456
    100 5.94096 594.096
    250 5.361312 1340.328
    500 4.81068 2405.34
    1,000 4.0572 4057.2
    2,500 3.85434 9635.856
    5,000 3.70944 18547.2
    10,000 3.59352 35935.2